存储器芯片内建自测试电路装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821416120.X
申请日
2018-08-29
公开(公告)号
CN208655247U
公开(公告)日
2019-03-26
发明(设计)人
杨正杰
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
G11C2956
IPC分类号
代理机构
北京市铸成律师事务所 11313
代理人
张臻贤;武晨燕
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
存储器芯片内建自测试方法和电路装置 [P]. 
杨正杰 .
中国专利 :CN110875080A ,2020-03-10
[2]
存储器芯片内建自测试方法和电路装置 [P]. 
杨正杰 .
中国专利 :CN110875080B ,2025-02-07
[3]
存储器内建自测试电路 [P]. 
李鸣 .
中国专利 :CN102903393B ,2013-01-30
[4]
一种存储器的内建自测试电路和存储器 [P]. 
崔小乐 ;
魏枫 .
中国专利 :CN118588146A ,2024-09-03
[5]
内建自测试电路及存储器 [P]. 
陆天辰 .
中国专利 :CN119694372A ,2025-03-25
[6]
内建自测试电路及存储器 [P]. 
陆天辰 .
中国专利 :CN119694372B ,2025-10-21
[7]
一种内建自测试电路、内建自测试方法和存储器 [P]. 
孙圆圆 ;
王佳 ;
张瑞 .
中国专利 :CN119296623A ,2025-01-10
[8]
存储器接口电路与内建自测试方法 [P]. 
李铉宰 ;
方政镐 ;
李月镇 ;
柳基炯 ;
赵光来 ;
尹舜炳 .
美国专利 :CN118506839A ,2024-08-16
[9]
存储器的内建自测试系统 [P]. 
彭涛 .
中国专利 :CN111292795B ,2020-06-16
[10]
存储器内建自测试方法 [P]. 
杨修 ;
唐杜娟 .
中国专利 :CN101339811A ,2009-01-07