氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110086878.1

申请日：

2021-01-22

公开(公告)号：

CN113206016A

公开(公告)日：

2021-08-03

发明(设计)人：

山﨑政宏田原慈

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21467

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳;刘芃茜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/467 申请日:20210122
2021-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻方法、半导体装置的制造方法、蚀刻程序以及等离子体处理装置 [P].

横山乔大 ;

浦川理史 ;

千叶祐毅 .

日本专利 :CN117751433A ,2024-03-22

[2]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

熊仓翔 ;

木村壮一郎 ;

世小弓 ;

小田岛畅洋 ;

真崎祐次 ;

岳本昇 ;

小林真 .

日本专利 :CN119256389A ,2025-01-03

[3]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

渡部诚一 ;

佐藤学 ;

泽田石真之 ;

山田纮己 ;

织茂慎司 .

中国专利 :CN114944333A ,2022-08-26

[4]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

岩野光纮 ;

细谷正德 .

中国专利 :CN111819666A ,2020-10-23

[5]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

佐藤琢磨 ;

吉村正太 ;

森北信也 .

日本专利 :CN117577524A ,2024-02-20

[6]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

有马仙善 ;

木原嘉英 ;

户村幕树 ;

高桥圭惠 .

日本专利 :CN120883336A ,2025-10-31

[7]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

齐藤翔 ;

昆泰光 ;

酒屋典之 .

日本专利 :CN120077468A ,2025-05-30

[8]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

山崎翔太 ;

泷野裕辅 ;

松原稜 ;

熊仓翔 .

日本专利 :CN120202532A ,2025-06-24

[9]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

横山乔大 ;

松桥泰平 ;

细谷正德 ;

松本大宇 .

中国专利 :CN114334595A ,2022-04-12

[10]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

熊仓翔 ;

木村壮一郎 ;

世小弓 ;

小田岛畅洋 ;

真崎祐次 ;

岳本昇 ;

小林真 ;

山崎翔太 .

日本专利 :CN119234297A ,2024-12-31

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