接触孔的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010546826.X

申请日：

2010-11-16

公开(公告)号：

CN102468223A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

尹晓明王新鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282314274 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201010546826X 申请日:20101116
2014-12-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101707864433 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201010546826X 申请公布日:20120523
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487763399 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201010546826X 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121116

共 50 条

[1]

接触孔的形成方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102087992A ,2011-06-08

[2]

一种降低接触孔电阻的接触孔形成方法 [P].

傅昶 ;

胡友存 ;

张亮 ;

郑春生 .

中国专利 :CN102437098A ,2012-05-02

[3]

一种降低接触孔电阻的接触孔结构形成方法 [P].

傅昶 ;

胡友存 ;

张亮 ;

郑春生 .

中国专利 :CN102437099A ,2012-05-02

[4]

一种接触孔形成方法 [P].

贾璐 ;

胡学清 ;

肖培 .

中国专利 :CN102324402A ,2012-01-18

[5]

一种接触孔形成方法 [P].

罗永坚 ;

任昱 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN104979281A ,2015-10-14

[6]

一种通孔或接触孔的形成方法 [P].

王兆祥 ;

杜若昕 ;

刘志强 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103021934A ,2013-04-03

[7]

接触结构及其形成方法 [P].

徐伟 ;

王清清 ;

陈金星 ;

范光龙 ;

刘慧超 .

中国专利 :CN113169120B ,2021-07-23

[8]

接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法 [P].

朱海龙 ;

罗承先 .

中国专利 :CN121171982A ,2025-12-19

[9]

位线接触的形成方法 [P].

杨中辉 ;

陈文丽 ;

蔡信裕 ;

孙智江 .

中国专利 :CN101312152A ,2008-11-26

[10]

通孔的形成方法 [P].

韩秋华 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN104658964B ,2015-05-27

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