一种高梯度高介电低损耗压敏材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010237477.3
申请日
2010-07-23
公开(公告)号
CN101913857A
公开(公告)日
2010-12-15
发明(设计)人
雒风超 何金良 胡军
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华园1号
IPC主分类号
C04B35462
IPC分类号
C04B35622
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
罗文群
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高介电低损耗介质材料及其制备方法 [P]. 
刘亦谦 ;
余杭 ;
刘隽甫 ;
孙士伦 .
中国专利 :CN120081664A ,2025-06-03
[2]
一种高介电低损耗绝缘钛酸铜钙陶瓷的制备方法 [P]. 
何金良 ;
雒风超 ;
胡军 ;
曾嵘 ;
陈水明 .
中国专利 :CN101671174B ,2010-03-17
[3]
一种高介电低损耗陶瓷组合物及其制备方法和应用 [P]. 
刘隽甫 ;
孙士伦 ;
刘亦谦 ;
张力 ;
蒋佳 .
中国专利 :CN121181346A ,2025-12-23
[4]
一种高介电低损耗介质陶瓷及其制备方法 [P]. 
马雪刚 ;
李远亮 ;
桑蓉栎 ;
陈颖 ;
崔志敏 ;
张庆军 .
中国专利 :CN103922728A ,2014-07-16
[5]
高介电低损耗玻璃纤维及其制备方法 [P]. 
唐志尧 ;
张艳萍 ;
王加芳 ;
杜凤玲 ;
刘丹 ;
柳丽娜 ;
李风香 .
中国专利 :CN113135668A ,2021-07-20
[6]
一种高介低损耗压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
方豪杰 ;
贺亦文 ;
张晓云 ;
张国秀 ;
方美玲 ;
刘建平 ;
曾雄 .
中国专利 :CN118324526B ,2024-08-06
[7]
一种高介低损耗压电陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
方豪杰 ;
贺亦文 ;
张晓云 ;
张国秀 ;
方美玲 ;
刘建平 ;
曾雄 .
中国专利 :CN118324526A ,2024-07-12
[8]
一种高介电低损耗PC/ABS合金及其制备方法 [P]. 
石允慧 ;
汪龙存 ;
马朝玖 .
中国专利 :CN108129792A ,2018-06-08
[9]
一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料、制备方法及应用 [P]. 
蒲永平 ;
李润 ;
张倩雯 ;
杜欣怡 ;
陈敏 .
中国专利 :CN112159223B ,2022-06-07
[10]
一种高介电低损耗复合树脂的制备方法及其应用 [P]. 
王锋伟 .
中国专利 :CN105255118A ,2016-01-20