一种高介电低损耗绝缘钛酸铜钙陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910093141.1

申请日：

2009-09-29

公开(公告)号：

CN101671174B

公开(公告)日：

2010-03-17

发明(设计)人：

何金良雒风超胡军曾嵘陈水明

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B35462

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

罗文群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001370672 IPC(主分类):C04B 35/622 专利申请号:2009100931411 申请日:20090929
2012-02-22	授权	授权
2010-03-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的烧结方法 [P].

李旺 ;

唐鹿 .

中国专利 :CN112592192B ,2021-04-02

[2]

低温环境下低损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

张建花 ;

郭斯琪 ;

卢文敏 ;

陈子成 ;

王大伟 ;

郭向阳 ;

郝嵘 ;

雷志鹏 ;

李媛媛 ;

田慕琴 .

中国专利 :CN113800901A ,2021-12-17

[3]

一种低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法 [P].

岳贤宁 ;

徐东 ;

钟素娟 ;

张雷 ;

马佳 ;

鲍丽 ;

宋娟 .

中国专利 :CN109336587A ,2019-02-15

[4]

一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法 [P].

薛人中 ;

朱祥 ;

苏玉玲 ;

刘德伟 ;

张会均 ;

陈思源 ;

崔梦茹 ;

陈红炫 .

中国专利 :CN113121221B ,2021-07-16

[5]

一种钛酸铜钙的制备方法 [P].

曾和平 ;

江梦慈 .

中国专利 :CN109704396B ,2019-05-03

[6]

一种高介电低损耗陶瓷组合物及其制备方法和应用 [P].

刘隽甫 ;

孙士伦 ;

刘亦谦 ;

张力 ;

蒋佳 .

中国专利 :CN121181346A ,2025-12-23

[7]

一种高击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

张建花 ;

吝伶艳 ;

刘玉倩 ;

李卓晓 ;

郑杰诚 ;

宋建成 ;

李媛媛 .

中国专利 :CN109553411A ,2019-04-02

[8]

一种高介电低损耗介质陶瓷及其制备方法 [P].

马雪刚 ;

李远亮 ;

桑蓉栎 ;

陈颖 ;

崔志敏 ;

张庆军 .

中国专利 :CN103922728A ,2014-07-16

[9]

一种制备钛酸铜钙陶瓷的方法 [P].

李建英 ;

顾访 ;

吴珍华 ;

李盛涛 .

中国专利 :CN102070333A ,2011-05-25

[10]

一种高梯度高介电低损耗压敏材料的制备方法 [P].

雒风超 ;

何金良 ;

胡军 .

中国专利 :CN101913857A ,2010-12-15

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