低温环境下低损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111157600.5

申请日：

2021-09-30

公开(公告)号：

CN113800901A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

张建花郭斯琪卢文敏陈子成王大伟郭向阳郝嵘雷志鹏李媛媛田慕琴

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35622 C04B4188

代理机构：

太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100

代理人：

朱源;曹一杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20210930
2021-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

张建花 ;

吝伶艳 ;

刘玉倩 ;

李卓晓 ;

郑杰诚 ;

宋建成 ;

李媛媛 .

中国专利 :CN109553411A ,2019-04-02

[2]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[3]

二元系钛酸铜钇-钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

晁小练 ;

李俊伟 ;

杨祖培 .

中国专利 :CN103992103B ,2014-08-20

[4]

镧取代钛酸铜铋钠巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨祖培 ;

晁小练 ;

任红梅 .

中国专利 :CN102219508B ,2011-10-19

[5]

钛酸铜钇钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨祖培 ;

梁朋飞 .

中国专利 :CN102627455A ,2012-08-08

[6]

一种高介电低损耗绝缘钛酸铜钙陶瓷的制备方法 [P].

何金良 ;

雒风超 ;

胡军 ;

曾嵘 ;

陈水明 .

中国专利 :CN101671174B ,2010-03-17

[7]

一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法 [P].

慕春红 ;

宋远强 ;

邓凯 ;

冉奥 .

中国专利 :CN107954712B ,2018-04-24

[8]

一种低介电损耗的钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

刘展晴 .

中国专利 :CN108751977A ,2018-11-06

[9]

钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

曹永革 ;

刘洋 ;

王文超 ;

黄秋凤 ;

王充 ;

陈剑 ;

陈东川 ;

费斌杰 .

中国专利 :CN103382111A ,2013-11-06

[10]

锂取代钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨祖培 ;

赵楠 ;

晁小练 .

中国专利 :CN103253933B ,2013-08-21

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