图案化并排列半导体纳米粒子

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200580027645.3
申请日
2005-06-20
公开(公告)号
CN101061576A
公开(公告)日
2007-10-24
发明(设计)人
托米·W·凯利 蒂莫西·D·邓巴
申请人
申请人地址
美国明尼苏达州
IPC主分类号
H01L21368
IPC分类号
H01L21208
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
郭国清;樊卫民
法律状态
专利权的视为放弃
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子 [P]. 
森山乔史 ;
本吉亮介 .
中国专利 :CN111556850A ,2020-08-18
[2]
半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子 [P]. 
高桥美枝 ;
福田一人 .
日本专利 :CN118382595A ,2024-07-23
[3]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件 [P]. 
森山乔史 ;
佐佐木洋和 ;
松浦圭佑 .
中国专利 :CN113454020A ,2021-09-28
[4]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件 [P]. 
森山乔史 ;
佐佐木洋和 ;
松浦圭佑 .
日本专利 :CN118440687A ,2024-08-06
[5]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液和光学部件 [P]. 
森山乔史 ;
本吉亮介 .
中国专利 :CN111566045A ,2020-08-21
[6]
半导体纳米粒子复合体组合物、稀释组合物、半导体纳米粒子复合体固化膜、半导体纳米粒子复合体图案化膜、显示元件和半导体纳米粒子复合体分散液 [P]. 
城户信人 ;
森山乔史 ;
佐佐木洋和 .
中国专利 :CN113939576A ,2022-01-14
[7]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体 [P]. 
鸟本司 ;
龟山达矢 ;
久保淳弥 ;
藤平纪一 .
日本专利 :CN118696008A ,2024-09-24
[8]
半导体发光纳米粒子 [P]. 
I·达维迪 ;
A·伊尔兹 ;
N·格兰巴赫 ;
M·科奥利克 ;
S·内什塔特 ;
A·拉布金 ;
H·阿贝尔 .
中国专利 :CN110072969A ,2019-07-30
[9]
半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P]. 
城户信人 ;
森山乔史 ;
佐佐木洋和 .
中国专利 :CN114127225A ,2022-03-01
[10]
半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P]. 
城户信人 ;
佐佐木洋和 .
日本专利 :CN114127229B ,2024-04-05