半导体器件和形成垂直互连的薄外形WLCSP的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110031135.0
申请日
2011-01-28
公开(公告)号
CN102157391A
公开(公告)日
2011-08-17
发明(设计)人
池熺朝 赵南柱 申韩吉
申请人
申请人地址
新加坡新加坡市
IPC主分类号
H01L2150
IPC分类号
H01L21768 H01L2500 H01L2352 H01L23528
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
代易宁
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P]. 
林耀剑 ;
陈康 .
中国专利 :CN107731697B ,2018-02-23
[2]
形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P]. 
林耀剑 ;
陈康 .
中国专利 :CN103165477B ,2013-06-19
[3]
半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法 [P]. 
林耀剑 ;
陈康 .
中国专利 :CN102637608B ,2012-08-15
[4]
在Fo-WLCSP中形成双面互连结构的半导体器件和方法 [P]. 
林耀剑 ;
陈康 .
中国专利 :CN103681468B ,2014-03-26
[5]
形成半导体器件金属互连的方法 [P]. 
赵景洙 .
中国专利 :CN1141506A ,1997-01-29
[6]
用于形成互连的垂直沟道器件和半导体结构的方法 [P]. 
J·博迈尔斯 .
中国专利 :CN108878365A ,2018-11-23
[7]
半导体器件和用于形成半导体器件的互连线的方法 [P]. 
张玹珍 ;
文永和 ;
权赫晋 .
中国专利 :CN1184335A ,1998-06-10
[8]
半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法 [P]. 
庄孟哲 ;
官琬纯 ;
邱意为 ;
翁子展 .
中国专利 :CN108122811B ,2018-06-05
[9]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113284850A ,2021-08-20
[10]
半导体器件和形成半导体器件的方法 [P]. 
杨智铨 ;
徐国修 ;
张峰铭 ;
林建隆 ;
洪连嵘 .
中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14