形成垂直互连结构的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210462755.4

申请日：

2012-11-16

公开(公告)号：

CN103165477B

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

林耀剑陈康

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2160 H01L21768 H01L2331 H01L23498 H01L23538

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马永利

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	公开	公开
2017-11-21	授权	授权
2020-01-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/56 变更事项:专利权人变更前:新科金朋有限公司变更后:新科金朋私人有限公司变更事项:地址变更前:新加坡新加坡市变更后:新加坡新加坡市
2020-01-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/56 登记生效日:20200103 变更事项:专利权人变更前权利人:新科金朋私人有限公司变更后权利人:长电集成电路（绍兴）有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:浙江省绍兴市越城区临江路500号
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595116107 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2012104627554 申请日:20121116

共 50 条

[1]

形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN107731697B ,2018-02-23

[2]

形成互连结构和半导体器件的方法 [P].

李敬雨 ;

慎烘縡 ;

金在鹤 .

中国专利 :CN1812074A ,2006-08-02

[3]

半导体器件、形成互连结构的方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102760686B ,2012-10-31

[4]

半导体器件和形成用于半导体器件的互连结构的方法 [P].

崔宰铭 ;

李长根 ;

洪元赫 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN119314976A ,2025-01-14

[5]

半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN102637608B ,2012-08-15

[6]

形成密封的竖直互连结构的半导体器件和方法 [P].

杨全丰 ;

陈贵忠 ;

蔡佩燕 .

:CN120545247A ,2025-08-26

[7]

形成半导体器件的互连结构的方法 [P].

吴永旭 ;

蔡政勋 ;

张钰声 ;

吴佳典 ;

李忠儒 ;

严永松 ;

陈俊光 ;

包天一 ;

刘如淦 ;

眭晓林 .

中国专利 :CN106206412A ,2016-12-07

[8]

半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法 [P].

R·D·彭德塞 .

中国专利 :CN102468197B ,2012-05-23

[9]

半导体器件的互连结构 [P].

姜旼声 .

中国专利 :CN108336022A ,2018-07-27

[10]

互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法 [P].

梁世纬 ;

苏柏荣 ;

黄章斌 ;

邱建嘉 ;

杜贤明 ;

林俊宏 ;

赖昱嘉 .

中国专利 :CN106098665A ,2016-11-09

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