形成互连结构和半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510129423.4
申请日
2005-12-08
公开(公告)号
CN1812074A
公开(公告)日
2006-08-02
发明(设计)人
李敬雨 慎烘縡 金在鹤
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
陶凤波;侯宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件、形成互连结构的方法 [P]. 
张海洋 ;
洪中山 ;
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[2]
半导体器件和形成用于半导体器件的互连结构的方法 [P]. 
崔宰铭 ;
李长根 ;
洪元赫 ;
徐康一 .
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[3]
形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P]. 
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陈康 .
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[4]
形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P]. 
林耀剑 ;
陈康 .
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[5]
形成半导体器件的互连结构的方法 [P]. 
吴永旭 ;
蔡政勋 ;
张钰声 ;
吴佳典 ;
李忠儒 ;
严永松 ;
陈俊光 ;
包天一 ;
刘如淦 ;
眭晓林 .
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[6]
半导体器件的互连结构 [P]. 
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[7]
形成密封的竖直互连结构的半导体器件和方法 [P]. 
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陈贵忠 ;
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[8]
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吴双双 .
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[10]
互连结构及半导体器件 [P]. 
高成 .
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