形成半导体器件的互连结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510299027.X

申请日：

2015-06-03

公开(公告)号：

CN106206412A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

吴永旭蔡政勋张钰声吴佳典李忠儒严永松陈俊光包天一刘如淦眭晓林

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2019-04-23	授权	授权
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695169583 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201510299027X 申请日:20150603

共 50 条

[1]

半导体器件、形成互连结构的方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102760686B ,2012-10-31

[2]

形成互连结构和半导体器件的方法 [P].

李敬雨 ;

慎烘縡 ;

金在鹤 .

中国专利 :CN1812074A ,2006-08-02

[3]

半导体器件和形成用于半导体器件的互连结构的方法 [P].

崔宰铭 ;

李长根 ;

洪元赫 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN119314976A ,2025-01-14

[4]

半导体器件的互连结构 [P].

姜旼声 .

中国专利 :CN108336022A ,2018-07-27

[5]

形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN103165477B ,2013-06-19

[6]

形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN107731697B ,2018-02-23

[7]

用于半导体器件的互连结构 [P].

郭涵馨 ;

柯忠祁 ;

杨能杰 ;

黄富明 ;

蔡及铭 ;

陈亮光 .

中国专利 :CN104752338B ,2015-07-01

[8]

用于半导体器件的互连结构 [P].

丁致远 .

中国专利 :CN104701248A ,2015-06-10

[9]

包括互连结构的半导体器件 [P].

李洋熙 ;

权炳昊 ;

朴钟爀 ;

尹普彦 ;

尹一永 ;

洪锡俊 .

韩国专利 :CN117352493A ,2024-01-05

[10]

用于半导体器件的互连结构 [P].

王柏荃 ;

陈冠亘 ;

洪嘉阳 ;

潘升良 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN114334804A ,2022-04-12

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