半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210029757.4

申请日：

2012-02-10

公开(公告)号：

CN102637608B

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

林耀剑陈康

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2160 H01L21768 H01L2331 H01L23498 H01L23538

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马丽娜;卢江

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-15	公开	公开
2014-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101574731183 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2012100297574 申请日:20120210
2017-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN103165477B ,2013-06-19

[2]

形成垂直互连结构的方法和半导体器件 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN107731697B ,2018-02-23

[3]

在Fo-WLCSP中形成双面互连结构的半导体器件和方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN103681468B ,2014-03-26

[4]

半导体器件以及在FO-WLCSP中形成双侧互连结构的方法 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN103681362B ,2014-03-26

[5]

半导体器件和形成垂直互连的薄外形WLCSP的方法 [P].

池熺朝 ;

赵南柱 ;

申韩吉 .

中国专利 :CN102157391A ,2011-08-17

[6]

在Fo-WLCSP中具有双面互连结构的半导体器件 [P].

林耀剑 ;

陈康 .

中国专利 :CN203386745U ,2014-01-08

[7]

半导体器件和形成用于半导体器件的互连结构的方法 [P].

崔宰铭 ;

李长根 ;

洪元赫 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN119314976A ,2025-01-14

[8]

形成互连结构和半导体器件的方法 [P].

李敬雨 ;

慎烘縡 ;

金在鹤 .

中国专利 :CN1812074A ,2006-08-02

[9]

半导体器件、形成互连结构的方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102760686B ,2012-10-31

[10]

形成半导体器件的互连结构的方法 [P].

吴永旭 ;

蔡政勋 ;

张钰声 ;

吴佳典 ;

李忠儒 ;

严永松 ;

陈俊光 ;

包天一 ;

刘如淦 ;

眭晓林 .

中国专利 :CN106206412A ,2016-12-07

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