制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410581750.2

申请日：

2010-10-19

公开(公告)号：

CN104465318B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

山崎舜平平石铃之介秋元健吾坂田淳一郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607351091 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014105817502 申请日:20101019
2018-04-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

平石铃之介 ;

秋元健吾 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102598284A ,2012-07-18

[2]

用于制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111081550A ,2020-04-28

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 ;

细羽幸 ;

野田耕生 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102473731A ,2012-05-23

[4]

用于制造半导体器件的方法 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102460713B ,2012-05-16

[5]

用于制造半导体器件的方法 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN106409684A ,2017-02-15

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN101740633A ,2010-06-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN103107201B ,2013-05-15

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

伊藤俊一 ;

细羽幸 ;

須沢英臣 ;

笹川慎也 ;

村冈大河 .

中国专利 :CN101728277A ,2010-06-09

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

津吹将志 ;

吉富修平 ;

辻隆博 ;

细羽幸 ;

坂田淳一郎 ;

户松浩之 ;

早川昌彦 .

中国专利 :CN102484140B ,2012-05-30

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