用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610981924.3

申请日：

2010-06-16

公开(公告)号：

CN106409684A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

佐佐木俊成坂田淳一郎大原宏树山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29786 H01L2712

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

金晓

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	公开	公开
2020-01-21	授权	授权
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707273880 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016109819243 申请日:20100616

共 50 条

[1]

用于制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111081550A ,2020-04-28

[2]

用于制造半导体器件的方法 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102460713B ,2012-05-16

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 ;

平石铃之介 ;

秋元健吾 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104465318B ,2015-03-25

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 ;

细羽幸 ;

野田耕生 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102473731A ,2012-05-23

[5]

用于制造半导体器件的方法 [P].

细羽幸 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103151266A ,2013-06-12

[6]

用于制造半导体器件的方法 [P].

细羽幸 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102598285A ,2012-07-18

[7]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[8]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102386236A ,2012-03-21

[9]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102509736A ,2012-06-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

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