改善出光效率的发光二极管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211127050.7

申请日：

2022-09-16

公开(公告)号：

CN115663081A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

刘小星尹灵峰魏柏林卫婷马国强

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3322 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20220916

共 50 条

[1]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03

[2]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

陆香花 ;

尚玉平 ;

梅劲 .

中国专利 :CN118448534A ,2024-08-06

[3]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

肖云飞 ;

贾胜敏 ;

陆香花 ;

梅劲 .

中国专利 :CN115763645B ,2025-05-06

[4]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10

[5]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

张威 ;

吴志浩 ;

王江波 .

中国专利 :CN115602772A ,2023-01-13

[6]

改善制备效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

魏柏林 .

中国专利 :CN118825152A ,2024-10-22

[7]

改善正面出光的发光二极管及其制备方法 [P].

魏柏林 ;

林振华 ;

马国强 ;

陈沛然 ;

王薇 ;

崔伟豪 ;

刘小亮 ;

芮哲 ;

韩艺蕃 .

中国专利 :CN121174742A ,2025-12-19

[8]

改善出光角度的发光二极管及其制备方法 [P].

王洪占 ;

杭伟 ;

张美 ;

石时曼 ;

吴军 ;

翁伟 .

中国专利 :CN118431375A ,2024-08-02

[9]

改善光效的发光二极管及其制备方法 [P].

陆香花 ;

梅劲 .

中国专利 :CN117855353A ,2024-04-09

[10]

改善光效的发光二极管及其制备方法 [P].

王新建 ;

朱广敏 ;

张舜 ;

陶羽宇 .

中国专利 :CN115579441A ,2023-01-06

← 1 2 3 4 5 →