改善发光效率的发光二极管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211184915.3

申请日：

2022-09-27

公开(公告)号：

CN115602772A

公开(公告)日：

2023-01-13

发明(设计)人：

张威吴志浩王江波

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3342 H01L3302

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20220927
2023-01-13	公开	公开

共 50 条

[1]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03

[2]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

陆香花 ;

尚玉平 ;

梅劲 .

中国专利 :CN118448534A ,2024-08-06

[3]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

肖云飞 ;

贾胜敏 ;

陆香花 ;

梅劲 .

中国专利 :CN115763645B ,2025-05-06

[4]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10

[5]

改善制备效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

魏柏林 .

中国专利 :CN118825152A ,2024-10-22

[6]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[7]

改善出光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

魏柏林 ;

卫婷 ;

马国强 .

中国专利 :CN115663081A ,2023-01-31

[8]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

芮哲 ;

高艳龙 ;

秦双娇 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN115440864A ,2022-12-06

[9]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18

[10]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

芮哲 ;

高艳龙 ;

秦双娇 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN115440864B ,2025-08-26

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