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改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411435985.0
申请日：
2024-10-15
公开(公告)号：
CN119486403A
公开(公告)日：
2025-02-18
发明(设计)人：
兰叶 王江波 朱广敏 吴志浩 张威
申请人：
京东方华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址：
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
IPC主分类号：
H10H20/819
IPC分类号：
H10H20/01 H10H20/831
代理机构：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人：
吕耀萍
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/819申请日:20241015
2025-02-18 公开 公开
共 50 条
[1]
改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P]. 
韩艺蕃 ;
郝亚磊 ;
魏柏林 ;
石跃航 ;
王绘凝 ;
王江波 .
中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22
[2]
改善EOS的发光二极管及其制备方法 [P]. 
崔伟豪 ;
林振华 ;
陈沛然 ;
刘小亮 ;
魏柏林 ;
王薇 .
中国专利 :CN120835647A ,2025-10-24
[3]
改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
张威 .
中国专利 :CN115394896A ,2022-11-25
[4]
改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
张威 .
中国专利 :CN115394896B ,2025-09-05
[5]
改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P]. 
王佳 ;
田宇航 ;
魏柏林 ;
田艳红 .
中国专利 :CN119497472A ,2025-02-21
[6]
改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法 [P]. 
韩艺蕃 ;
钱佳煜 ;
江宾 ;
张旭东 ;
郝亚磊 ;
魏柏林 ;
王绘凝 ;
王江波 .
中国专利 :CN120264961A ,2025-07-04
[7]
改善金属迁移的发光二极管及其制备方法 [P]. 
王绘凝 ;
栗伟 ;
江平 ;
夏章艮 ;
刘传桂 ;
佘晓敏 ;
王江波 .
中国专利 :CN117334799A ,2024-01-02
[8]
微型发光二极管及其制备方法 [P]. 
陈张笑雄 ;
龚逸品 ;
朱宸綦 ;
王江波 .
中国专利 :CN121038453A ,2025-11-28
[9]
改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P]. 
王明 ;
陆香花 ;
张奕 .
中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03
[10]
改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P]. 
王明 ;
陆香花 ;
张奕 .
中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10
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