改善EOS的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510720647.X

申请日：

2025-05-30

公开(公告)号：

CN120835647A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

崔伟豪林振华陈沛然刘小亮魏柏林王薇

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H10H20/841

IPC分类号：

H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/841申请日:20250530

共 50 条

[1]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[2]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896A ,2022-11-25

[3]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896B ,2025-09-05

[4]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18

[5]

改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

钱佳煜 ;

江宾 ;

张旭东 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN120264961A ,2025-07-04

[6]

改善金属迁移的发光二极管及其制备方法 [P].

王绘凝 ;

栗伟 ;

江平 ;

夏章艮 ;

刘传桂 ;

佘晓敏 ;

王江波 .

中国专利 :CN117334799A ,2024-01-02

[7]

微型发光二极管及其制备方法 [P].

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

朱宸綦 ;

王江波 .

中国专利 :CN121038453A ,2025-11-28

[8]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

魏柏林 ;

田艳红 .

中国专利 :CN119497472A ,2025-02-21

[9]

改善量子阱损伤的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

马国强 ;

芮哲 ;

魏柏林 ;

田艳红 .

中国专利 :CN119317253A ,2025-01-14

[10]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03

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