改善可靠性的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411399182.4

申请日：

2024-10-09

公开(公告)号：

CN119497472A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

王佳田宇航魏柏林田艳红

申请人：

京东方华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H10H20/832

IPC分类号：

H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/832申请日:20241009

共 50 条

[1]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

陆香花 ;

尚玉平 ;

梅劲 .

中国专利 :CN117855357A ,2024-04-09

[2]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18

[3]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[4]

改善EOS的发光二极管及其制备方法 [P].

崔伟豪 ;

林振华 ;

陈沛然 ;

刘小亮 ;

魏柏林 ;

王薇 .

中国专利 :CN120835647A ,2025-10-24

[5]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896A ,2022-11-25

[6]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896B ,2025-09-05

[7]

改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

钱佳煜 ;

江宾 ;

张旭东 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN120264961A ,2025-07-04

[8]

改善金属迁移的发光二极管及其制备方法 [P].

王绘凝 ;

栗伟 ;

江平 ;

夏章艮 ;

刘传桂 ;

佘晓敏 ;

王江波 .

中国专利 :CN117334799A ,2024-01-02

[9]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

田艳红 ;

马欢 ;

林云真 ;

王顺 ;

过靖 ;

尹灵峰 ;

王江波 ;

梅劲 .

中国专利 :CN116014042B ,2025-11-14

[10]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

江宾 ;

张舜 ;

宋飞翔 ;

石跃航 ;

韩艺蕃 .

中国专利 :CN119789633A ,2025-04-08

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