改善可靠性的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411667276.5

申请日：

2024-11-21

公开(公告)号：

CN119789633A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

江宾张舜宋飞翔石跃航韩艺蕃

申请人：

京东方华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H10H20/821

IPC分类号：

H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/821申请日:20241121
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

陆香花 ;

尚玉平 ;

梅劲 .

中国专利 :CN117855357A ,2024-04-09

[2]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

魏柏林 ;

田艳红 .

中国专利 :CN119497472A ,2025-02-21

[3]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

田艳红 ;

马欢 ;

林云真 ;

王顺 ;

过靖 ;

尹灵峰 ;

王江波 ;

梅劲 .

中国专利 :CN116014042B ,2025-11-14

[4]

改善焊接可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

王顺 ;

卫婷 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 .

中国专利 :CN118693200A ,2024-09-24

[5]

改善焊接可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

王顺 ;

卫婷 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 .

中国专利 :CN118693200B ,2025-11-11

[6]

改善可靠性的发光二极管及其电极的制备方法 [P].

郝亚磊 ;

韩艺蕃 ;

葛俊飞 ;

张旭东 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN118213448A ,2024-06-18

[7]

提升可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

刘战祥 ;

魏柏林 ;

田艳红 .

中国专利 :CN118335871A ,2024-07-12

[8]

改善可靠性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119451333A ,2025-02-14

[9]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

芮哲 ;

高艳龙 ;

秦双娇 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN115440864A ,2022-12-06

[10]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18

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