改善发光效率的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410998830.1

申请日：

2024-07-24

公开(公告)号：

CN119108472B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

王明陆香花张奕

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H10H20/813

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/01 H10H20/825

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	公开	公开
2025-10-03	授权	授权
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/08申请日:20240724

共 50 条

[1]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10

[2]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

陆香花 ;

尚玉平 ;

梅劲 .

中国专利 :CN118448534A ,2024-08-06

[3]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

肖云飞 ;

贾胜敏 ;

陆香花 ;

梅劲 .

中国专利 :CN115763645B ,2025-05-06

[4]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[5]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18

[6]

改善EOS的发光二极管及其制备方法 [P].

崔伟豪 ;

林振华 ;

陈沛然 ;

刘小亮 ;

魏柏林 ;

王薇 .

中国专利 :CN120835647A ,2025-10-24

[7]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896A ,2022-11-25

[8]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896B ,2025-09-05

[9]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

张威 ;

吴志浩 ;

王江波 .

中国专利 :CN115602772A ,2023-01-13

[10]

改善载流子扩展的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

钱佳煜 ;

江宾 ;

张旭东 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN120264961A ,2025-07-04

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