半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711215095.9

申请日：

2017-11-28

公开(公告)号：

CN108231894A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

陈奕升黄思维江宏礼吴政宪叶致锴

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171128
2018-06-29	公开	公开
2020-10-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN107017205A ,2017-08-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN106876275A ,2017-06-20

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121078762A ,2025-12-05

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

简昭欣 ;

刘继文 ;

周承翰 .

中国专利 :CN107230701A ,2017-10-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

蓝偟翔 ;

刘致为 ;

刘继文 ;

黄仕贤 ;

翁翊轩 ;

叶泓佑 ;

蔡仲恩 .

中国专利 :CN107230729B ,2017-10-03

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵珉熙 ;

朴玄睦 ;

宋珉宇 ;

宋宇彬 ;

吴贤实 ;

李玟洙 .

中国专利 :CN113130379A ,2021-07-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

布兰丁·迪里耶 ;

乔治斯·威廉提斯 .

中国专利 :CN107464840A ,2017-12-12

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 .

中国专利 :CN111199886A ,2020-05-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

汪柏澍 ;

陈建茂 .

中国专利 :CN106549061A ,2017-03-29

← 1 2 3 4 5 →