半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611047027.1

申请日：

2016-11-22

公开(公告)号：

CN106876275A

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

陈奕升吴政宪叶致锴

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	授权	授权
2017-06-20	公开	公开
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734185770 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016110470271 申请日:20161122

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN107017205A ,2017-08-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN102034865A ,2011-04-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

黄思维 ;

江宏礼 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN108231894A ,2018-06-29

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 .

中国专利 :CN111199886A ,2020-05-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

林志翰 .

中国专利 :CN106158854B ,2016-11-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102117828A ,2011-07-06

[8]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

尤瑞·V·诺乌里夫 ;

约西尼·J·G·P·卢 .

中国专利 :CN101095237A ,2007-12-26

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

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