半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611042625.X

申请日：

2016-11-22

公开(公告)号：

CN107017205A

公开(公告)日：

2017-08-04

发明(设计)人：

陈奕升吴政宪叶致锴

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-04	公开	公开
2020-04-28	授权	授权
2017-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101744595509 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:201611042625X 申请日:20161122

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN106876275A ,2017-06-20

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

黄思维 ;

江宏礼 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN108231894A ,2018-06-29

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 .

中国专利 :CN111199886A ,2020-05-26

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713A ,2021-03-05

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

小谷淳二 .

中国专利 :CN103022121A ,2013-04-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121078762A ,2025-12-05

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

简昭欣 ;

刘继文 ;

周承翰 .

中国专利 :CN107230701A ,2017-10-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

蓝偟翔 ;

刘致为 ;

刘继文 ;

黄仕贤 ;

翁翊轩 ;

叶泓佑 ;

蔡仲恩 .

中国专利 :CN107230729B ,2017-10-03

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