基板处理腔室

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201590000446.2

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN206516610U

公开(公告)日：

2017-09-22

发明(设计)人：

J·约德伏斯基 K·格里芬

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	授权	授权

共 50 条

[1]

用于处理基板的腔室 [P].

文在权 .

中国专利 :CN208422872U ,2019-01-22

[2]

用于处理基板的腔室 [P].

杰瑞德·阿哈默德·里 ;

马丁·杰夫·萨里纳斯 ;

保罗·B·路透 ;

伊玛德·尤瑟夫 ;

阿尼鲁达·帕尔 .

中国专利 :CN203746815U ,2014-07-30

[3]

用于处理基板的腔室 [P].

申寅澈 .

中国专利 :CN208422871U ,2019-01-22

[4]

用于处理基板的腔室 [P].

金东旻 .

中国专利 :CN208478293U ,2019-02-05

[5]

用于处理基板的腔室 [P].

申寅澈 .

中国专利 :CN208422868U ,2019-01-22

[6]

用于基板处理腔室的盖体以及处理腔室 [P].

伯纳德·L·黄 .

中国专利 :CN207834248U ,2018-09-07

[7]

基板支撑件和处理腔室 [P].

金·拉姆库马尔·韦洛尔 .

美国专利 :CN222139349U ,2024-12-10

[8]

基板处理腔室用限制衬垫 [P].

约瑟夫·佩里 .

中国专利 :CN306532684S ,2021-05-11

[9]

基板支撑件、处理腔室和用于在真空处理腔室中从基板支撑件升降基板的升降销 [P].

小温德尔·格伦·博伊德 ;

戈文达·瑞泽 ;

马修·詹姆斯·巴斯彻 .

中国专利 :CN206610799U ,2017-11-03

[10]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN111799191A ,2020-10-20

← 1 2 3 4 5 →