半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310053571.7

申请日：

2008-12-03

公开(公告)号：

CN103151325A

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

征矢野伸上柳胜道

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	授权	授权
2013-06-12	公开	公开
2013-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101490724076 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2013100535717 申请日:20081203

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

征矢野伸 ;

上柳胜道 .

中国专利 :CN101452925B ,2009-06-10

[2]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[3]

半导体器件 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN102576706A ,2012-07-11

[4]

半导体器件 [P].

西村隆雄 ;

熊谷欣一 ;

高岛晃 ;

中村公一 ;

合叶和之 .

中国专利 :CN1893051A ,2007-01-10

[5]

半导体器件 [P].

福井司 ;

石田薰 .

中国专利 :CN1591867A ,2005-03-09

[6]

半导体器件 [P].

持田晶良 ;

真光邦明 ;

大滨健一 .

中国专利 :CN1901187A ,2007-01-24

[7]

半导体器件 [P].

大坂英树 ;

植松裕 ;

铃木英一 .

中国专利 :CN101083256B ,2007-12-05

[8]

半导体器件 [P].

土持真悟 .

中国专利 :CN109599384B ,2019-04-09

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

山内净 .

中国专利 :CN100446360C ,2007-05-09

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

清水浩三 ;

作山诚树 ;

宫岛丰生 .

中国专利 :CN103972115B ,2014-08-06

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