半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320263134.3

申请日：

2013-05-10

公开(公告)号：

CN203300631U

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

成田博明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L23495 H01L2331

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	授权	授权
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/488 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2021-04-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20130510 授权公告日:20131120 终止日期:20200510

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

平沼和彦 ;

坂田和之 .

中国专利 :CN205428903U ,2016-08-03

[2]

半导体器件 [P].

菊池卓 ;

菊池隆文 .

中国专利 :CN203733786U ,2014-07-23

[3]

半导体器件 [P].

玉置尚哉 .

中国专利 :CN203503650U ,2014-03-26

[4]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN205081110U ,2016-03-09

[5]

半导体器件 [P].

锦泽笃志 ;

团野忠敏 ;

中村弘幸 ;

相马治 ;

上村圣 .

中国专利 :CN205039149U ,2016-02-17

[6]

半导体器件 [P].

R·蒂齐亚尼 ;

A·贝利齐 .

中国专利 :CN217983268U ,2022-12-06

[7]

半导体器件 [P].

A·贝利齐 ;

M·罗维托 .

中国专利 :CN218004831U ,2022-12-09

[8]

半导体器件 [P].

松本雅弘 ;

矢岛明 ;

前川和义 .

中国专利 :CN207542239U ,2018-06-26

[9]

半导体器件 [P].

F.希尔勒 ;

K.霍赛尼 .

中国专利 :CN203398119U ,2014-01-15

[10]

半导体器件 [P].

K.霍赛尼 ;

U.瓦尔 .

中国专利 :CN203398106U ,2014-01-15

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