一种基于硅衬底的LED垂直芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921422379.X

申请日：

2019-08-29

公开(公告)号：

CN210429863U

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

颜才满汤勇李宗涛徐亮卢汉光伍科健丁鑫锐

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

林梅繁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于硅衬底的LED垂直芯片及其制备方法 [P].

李宗涛 ;

颜才满 ;

汤勇 ;

徐亮 ;

卢汉光 ;

伍科健 ;

丁鑫锐 .

中国专利 :CN110429165A ,2019-11-08

[2]

一种电流阻挡层的制备方法、硅衬底垂直结构LED芯片 [P].

刘苾雨 ;

冯玥 ;

吴小明 ;

林前英 ;

夏邦美 .

中国专利 :CN117393662A ,2024-01-12

[3]

一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

邓高强 ;

黄振 ;

董鑫 ;

马艳 ;

张宝林 ;

杜国同 .

中国专利 :CN106098890B ,2016-11-09

[4]

一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法 [P].

梁红伟 ;

柳阳 ;

杜国同 ;

申人升 ;

夏晓川 .

中国专利 :CN103730549A ,2014-04-16

[5]

一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片 [P].

王金 .

中国专利 :CN205177832U ,2016-04-20

[6]

硅衬底平面LED集成芯片 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN201022077Y ,2008-02-13

[7]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

张江鹏 ;

路立峰 ;

唐兰香 ;

甘琨 ;

高建海 .

中国专利 :CN209880591U ,2019-12-31

[8]

一种垂直结构的LED芯片 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN204144302U ,2015-02-04

[9]

一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法 [P].

周鑫 ;

范敏聪 ;

旷明胜 ;

陈慧秋 .

中国专利 :CN120813132A ,2025-10-17

[10]

一种n-SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法 [P].

张源涛 ;

李鹏翀 ;

杜国同 ;

闫龙 ;

韩煦 ;

董鑫 ;

张宝林 .

中国专利 :CN105957934A ,2016-09-21

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