一种磁增强法拉第屏蔽结构

被引：0

申请号：

CN202122079832.5

申请日：

2021-08-31

公开(公告)号：

CN216563009U

公开(公告)日：

2022-05-17

发明(设计)人：

李冰妍

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园B5座二层(江宁开发区)

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙) 34167

代理人：

史芳

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源 [P].

李兴存 .

中国专利 :CN110536530A ,2019-12-03

[2]

法拉第屏蔽以及具有该法拉第屏蔽的装置 [P].

山口智责 ;

滨田直哉 ;

梅泽俊辅 ;

割石卓男 ;

纸谷知宏 ;

森部尚己 .

中国专利 :CN102077100A ,2011-05-25

[3]

一种法拉第屏蔽反应腔室 [P].

廖海涛 ;

张飞 .

中国专利 :CN211629038U ,2020-10-02

[4]

一种法拉第屏蔽反应腔室 [P].

廖海涛 ;

张飞 .

中国专利 :CN111161993A ,2020-05-15

[5]

一种射频放电系统及其法拉第屏蔽结构 [P].

高飞 ;

王友年 .

中国专利 :CN209282164U ,2019-08-20

[6]

可变效率的法拉第屏蔽 [P].

M·F·戴维斯 ;

F·胡施达郎 .

中国专利 :CN1503856A ,2004-06-09

[7]

法拉第屏蔽件及反应腔室 [P].

刘建生 ;

陈鹏 ;

王文章 ;

常大磊 ;

徐奎 ;

丁培军 ;

姜鑫先 ;

张璐 ;

苏振宁 ;

宋巧丽 ;

贾强 .

中国专利 :CN207183209U ,2018-04-03

[8]

一种射频放电系统及其法拉第屏蔽结构 [P].

高飞 ;

王友年 .

中国专利 :CN109686645A ,2019-04-26

[9]

一种法拉第屏蔽氦冷却管结构 [P].

王成昊 ;

宋云涛 ;

李长春 ;

杨庆喜 ;

赵燕平 .

中国专利 :CN101777391A ,2010-07-14

[10]

一种非对称法拉第磁场结构与法拉第旋光器 [P].

张慧欣 ;

汪小青 ;

张诗渊 .

中国专利 :CN217543574U ,2022-10-04

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