半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580015301.0

申请日：

2005-05-09

公开(公告)号：

CN1954428B

公开(公告)日：

2007-04-25

发明(设计)人：

松井裕一松崎望高浦则克山本直树松冈秀行岩崎富生

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L4500

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

季向冈

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101046389844 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL2005800153010 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20101019
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-29	授权	授权
2007-04-25	公开	公开
2017-12-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/10 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

松井裕一 ;

松崎望 ;

高浦则克 ;

山本直树 ;

松冈秀行 ;

岩崎富生 .

中国专利 :CN101834198A ,2010-09-15

[2]

半导体存储器件 [P].

郑在景 ;

柳民泰 ;

薛玹珠 ;

柳成原 ;

李元锡 ;

赵珉熙 ;

许栽硕 .

中国专利 :CN115346983A ,2022-11-15

[3]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

松井裕一 ;

岩崎富生 ;

高浦则克 ;

黑土健三 .

中国专利 :CN100521224C ,2006-11-22

[4]

半导体存储器件 [P].

长野能久 ;

田中圭介 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21

[5]

半导体存储器件 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN102105978A ,2011-06-22

[6]

半导体存储器件 [P].

罗载元 ;

金昶植 ;

宋俊和 ;

全智姬 .

韩国专利 :CN117794241A ,2024-03-29

[7]

半导体存储器件 [P].

李泓浚 ;

金熙中 ;

李泫珍 ;

蔡熙载 .

韩国专利 :CN120076318A ,2025-05-30

[8]

半导体存储器件 [P].

笹子佳孝 ;

峰邑浩行 ;

小林孝 ;

新谷俊通 ;

半泽悟 ;

木下胜治 .

中国专利 :CN102959635A ,2013-03-06

[9]

半导体存储器件 [P].

李元锡 ;

李周昊 ;

金承贤 ;

郑宇齐 ;

赵珉熙 .

韩国专利 :CN118475114A ,2024-08-09

[10]

半导体存储器件 [P].

朴镇成 ;

李昇嬉 ;

卓容奭 ;

金东奎 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

李东炫 .

韩国专利 :CN118382291A ,2024-07-23

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