用于改进密封电子器件中的散热的方法以及密封电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480040654.1

申请日：

2004-10-15

公开(公告)号：

CN101421920B

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

帕西·蒂克卡埃德加·施米德哈默哈博·海因策赖纳·韦尔策赫伯特·齐德克安斯加·朔伊费勒朱阿·埃拉

申请人：

申请人地址：

芬兰埃斯波

IPC主分类号：

H03H910

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

冯谱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-29	公开	公开
2011-08-10	授权	授权
2009-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电子器件及电子器件的密封方法 [P].

奥山真人 ;

小渕礼子 .

中国专利 :CN108029164A ,2018-05-11

[2]

电子器件以及电子器件的散热构造 [P].

中岛哲夫 .

中国专利 :CN109196967A ,2019-01-11

[3]

树脂密封电子器件的制造方法以及电子器件的树脂密封装置 [P].

浦上浩 ;

高田直毅 ;

大槻修 .

中国专利 :CN102971127A ,2013-03-13

[4]

电子器件以及用于电子器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN119895518A ,2025-04-25

[5]

电子器件以及用于制造电子器件的方法 [P].

哈利勒·哈希尼 ;

弗兰克·卡尔曼 .

中国专利 :CN103094231B ,2013-05-08

[6]

电子器件以及用于制造电子器件的方法 [P].

J.马勒 ;

I.尼基廷 .

中国专利 :CN103219314A ,2013-07-24

[7]

散热材料、电子器件以及电子器件的制造方法 [P].

岩井大介 ;

近藤大雄 ;

山口佳孝 ;

广濑真一 ;

崎田幸惠 ;

曾我育生 ;

八木下洋平 .

中国专利 :CN101740529A ,2010-06-16

[8]

制造电子器件的方法以及具有双密封环的电子器件 [P].

M·索里厄尔 ;

K·萨克斯奥德 .

中国专利 :CN105679717B ,2016-06-15

[9]

电子器件以及形成电子器件的方法 [P].

阿布舍克·班纳吉 ;

P·范米尔贝克 ;

皮特·莫昂 ;

M·塔克 .

美国专利 :CN110556296B ,2024-02-02

[10]

电子器件以及制造电子器件的方法 [P].

广川友明 ;

松野下诚 ;

角田雄二 ;

佐仓直喜 .

中国专利 :CN101587871A ,2009-11-25

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