一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111226360.X

申请日：

2021-10-21

公开(公告)号：

CN113927377A

公开(公告)日：

2022-01-14

发明(设计)人：

张超仁侯国荣王彦君孙晨光曹锦伟

申请人：

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

B24B2902

代理机构：

苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474

代理人：

冷泠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 1/00 申请日:20211021
2022-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺 [P].

卞梁 ;

潘连胜 ;

何翠翠 .

中国专利 :CN114055256A ,2022-02-18

[2]

一种提高硅片表面平整度的抛光工艺 [P].

殷博文 ;

张超仁 ;

曹锦伟 ;

王彦君 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN113977438A ,2022-01-28

[3]

改善硅片表面粗糙度的工艺方法 [P].

蔡来强 .

中国专利 :CN120048724A ,2025-05-27

[4]

一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置 [P].

党宇星 ;

闫志瑞 ;

库黎明 ;

冯泉林 ;

索思卓 ;

盛方毓 .

中国专利 :CN103144011B ,2013-06-12

[5]

低表面粗糙度的抛光垫 [P].

J.奈尔 .

中国专利 :CN105163907B ,2015-12-16

[6]

一种提高产量和减小硅片表面粗糙度的硅片卸载工艺 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN1848369A ,2006-10-18

[7]

具有表面粗糙度的抛光垫 [P].

蒂莫西·J·多诺休 .

中国专利 :CN101500756A ,2009-08-05

[8]

硅片研磨表面粗糙度控制方法 [P].

仲跻和 ;

李家荣 ;

吴亮 .

中国专利 :CN101310926A ,2008-11-26

[9]

提高半工艺电工钢表面粗糙度的方法 [P].

吴泽交 ;

梁亮 ;

郑庆 ;

刘旭辉 ;

田飞 ;

谢凯 ;

李慈颖 ;

吴高亮 ;

宋伟 ;

孙武厅 ;

单宁 ;

梁玉新 ;

彭维 ;

朱扬普 ;

张乐 .

中国专利 :CN119951870A ,2025-05-09

[10]

降低硅片边缘粗糙度的工艺方法 [P].

张森阳 .

中国专利 :CN120619986A ,2025-09-12

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