半导体模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201580009332.9
申请日
2015-01-07
公开(公告)号
CN106031005A
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
龟山悟
申请人
申请人地址
日本爱知县
IPC主分类号
H02M3155
IPC分类号
H01L21336 H01L2704 H01L29739 H01L2978 H01L29861 H01L29868
代理机构
北京金信知识产权代理有限公司 11225
代理人
苏萌萌;范文萍
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体模块 [P]. 
西田祐平 ;
塩原真由美 .
日本专利 :CN117378047A ,2024-01-09
[2]
半导体模块 [P]. 
加藤正博 ;
中川信也 .
中国专利 :CN102637679A ,2012-08-15
[3]
半导体模块 [P]. 
米山玲 ;
冈部浩之 ;
井上贵公 ;
酒井伸次 .
中国专利 :CN103178817B ,2013-06-26
[4]
半导体模块 [P]. 
木村晃也 ;
井口知洋 ;
佐佐木阳光 .
中国专利 :CN108417567B ,2018-08-17
[5]
半导体模块 [P]. 
加藤正博 ;
中川信也 .
中国专利 :CN103325759B ,2013-09-25
[6]
半导体模块 [P]. 
砂川千秋 ;
铃木直仁 ;
船仓清一 ;
前川祐也 ;
佐佐木诚一 ;
坂井邦崇 ;
杉田纯一 .
中国专利 :CN203800831U ,2014-08-27
[7]
半导体模块 [P]. 
能川玄之 .
日本专利 :CN117438412A ,2024-01-23
[8]
半导体模块 [P]. 
稻叶哲也 ;
池田良成 ;
谷口克己 ;
君岛大辅 .
中国专利 :CN106449608A ,2017-02-22
[9]
半导体模块和半导体模块的制造方法 [P]. 
浅野大造 .
中国专利 :CN115541042A ,2022-12-30
[10]
功率半导体模块 [P]. 
三木隆义 ;
中山靖 ;
大井健史 ;
多田和弘 ;
井高志织 ;
长谷川滋 ;
小林知宏 ;
中岛幸夫 .
中国专利 :CN103650137B ,2014-03-19