硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710199102.0

申请日：

2007-12-11

公开(公告)号：

CN101459059A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

林楠

申请人：

申请人地址：

210016江苏省南京市白下区中山东路524-1号3幢1505室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

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代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-04-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101330730145 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2007101991020 公开日:20090617
2009-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

硅半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

林立强 .

中国专利 :CN1326215C ,2005-03-23

[2]

硅平面半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

程万坡 ;

周明 ;

顾理健 .

中国专利 :CN101667535B ,2010-03-10

[3]

碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术 [P].

林楠 .

中国专利 :CN101826471A ,2010-09-08

[4]

制造玻璃钝化半导体器件的方法 [P].

张环 ;

何磊 ;

周继峰 .

中国专利 :CN118136586A ,2024-06-04

[5]

一种半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

贾健 ;

郭静静 .

中国专利 :CN118571755A ,2024-08-30

[6]

用于半导体器件的钝化玻璃 [P].

斯里尼瓦桑·斯里德哈兰 ;

约翰·J·马洛尼 ;

乔治·E·萨科斯克 ;

格雷戈里·R·普林斯巴赫 ;

大卫·维德莱夫斯基 ;

杰基·戴维斯 ;

布拉德福德·史密斯 .

中国专利 :CN109564904B ,2019-04-02

[7]

台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

薛成山 ;

赵富贤 ;

田淑芬 ;

刘瑞兰 ;

庄惠照 .

中国专利 :CN85100410A ,1986-07-09

[8]

半导体晶片和半导体器件 [P].

内藤宽 .

中国专利 :CN2932616Y ,2007-08-08

[9]

硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件 [P].

袁雪婷 ;

张昕宇 .

中国专利 :CN111952414A ,2020-11-17

[10]

大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

庄惠照 ;

薛成山 ;

王显明 .

中国专利 :CN1047025C ,1996-02-21

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