硅平面半导体器件的玻璃钝化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910182406.5

申请日：

2009-09-14

公开(公告)号：

CN101667535B

公开(公告)日：

2010-03-10

发明(设计)人：

程万坡周明顾理健

申请人：

申请人地址：

226600 江苏省海安县老坝港镇工业园区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

扬州市锦江专利事务所 32106

代理人：

江平

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:专利权人变更前:南通明芯微电子有限公司变更后:江苏明芯微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:226600 江苏省海安县老坝港镇工业园区变更后:226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001301254 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2009101824065 申请日:20090914
2011-06-08	授权	授权
2010-03-10	公开	公开

共 50 条

[1]

硅半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

林立强 .

中国专利 :CN1326215C ,2005-03-23

[2]

台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

薛成山 ;

赵富贤 ;

田淑芬 ;

刘瑞兰 ;

庄惠照 .

中国专利 :CN85100410A ,1986-07-09

[3]

硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法 [P].

林楠 .

中国专利 :CN101459059A ,2009-06-17

[4]

制造玻璃钝化半导体器件的方法 [P].

张环 ;

何磊 ;

周继峰 .

中国专利 :CN118136586A ,2024-06-04

[5]

大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

庄惠照 ;

薛成山 ;

王显明 .

中国专利 :CN1047025C ,1996-02-21

[6]

一种半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

贾健 ;

郭静静 .

中国专利 :CN118571755A ,2024-08-30

[7]

用于半导体器件的钝化玻璃 [P].

斯里尼瓦桑·斯里德哈兰 ;

约翰·J·马洛尼 ;

乔治·E·萨科斯克 ;

格雷戈里·R·普林斯巴赫 ;

大卫·维德莱夫斯基 ;

杰基·戴维斯 ;

布拉德福德·史密斯 .

中国专利 :CN109564904B ,2019-04-02

[8]

硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件 [P].

袁雪婷 ;

张昕宇 .

中国专利 :CN111952414A ,2020-11-17

[9]

半导体器件的钝化方法 [P].

张继宇 ;

李颖 ;

杨国文 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN112736641A ,2021-04-30

[10]

硅台面半导体器件的PN结保护方法 [P].

周明 ;

穆连和 ;

顾理建 ;

王荣元 .

中国专利 :CN102779764B ,2012-11-14

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