硅半导体器件玻璃钝化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410041716.2

申请日：

2004-08-17

公开(公告)号：

CN1326215C

公开(公告)日：

2005-03-23

发明(设计)人：

林立强

申请人：

申请人地址：

210016江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

南京天华专利代理有限责任公司

代理人：

徐冬涛;叶立剑

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	授权	授权
2018-09-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20040817 授权公告日:20070711 终止日期:20170817
2005-03-23	公开	公开
2005-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

薛成山 ;

赵富贤 ;

田淑芬 ;

刘瑞兰 ;

庄惠照 .

中国专利 :CN85100410A ,1986-07-09

[2]

一种台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

吴昊 ;

冯羽 .

中国专利 :CN118969602A ,2024-11-15

[3]

一种台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

吴昊 ;

冯羽 .

中国专利 :CN118969602B ,2025-06-27

[4]

一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺 [P].

朱长纯 ;

王颖 ;

刘君华 ;

吴春瑜 .

中国专利 :CN1564311A ,2005-01-12

[5]

硅平面半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

程万坡 ;

周明 ;

顾理健 .

中国专利 :CN101667535B ,2010-03-10

[6]

一种半导体晶片表面钝化工艺 [P].

张纪稳 ;

李薛民 ;

路晓瑜 ;

蔡永军 ;

孙梅 ;

吕贺贺 ;

陈岩 .

中国专利 :CN117558634A ,2024-02-13

[7]

一种半导体晶片表面钝化工艺 [P].

张纪稳 ;

李薛民 ;

路晓瑜 ;

蔡永军 ;

孙梅 ;

吕贺贺 ;

陈岩 .

中国专利 :CN117558634B ,2024-04-02

[8]

一种半导体晶片表面钝化工艺 [P].

耿玓 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

李伟伟 ;

卢年端 ;

李泠 .

中国专利 :CN118315286A ,2024-07-09

[9]

一种玻璃钝化工艺 [P].

李建中 ;

孙辰宇 .

中国专利 :CN120954980A ,2025-11-14

[10]

硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法 [P].

林楠 .

中国专利 :CN101459059A ,2009-06-17

← 1 2 3 4 5 →