硅台面半导体器件的PN结保护方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210296649.3

申请日：

2012-08-21

公开(公告)号：

CN102779764B

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

周明穆连和顾理建王荣元

申请人：

申请人地址：

226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

代理机构：

扬州市锦江专利事务所 32106

代理人：

江平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	授权	授权
2018-04-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/56 变更事项:专利权人变更前:南通明芯微电子有限公司变更后:江苏明芯微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区变更后:226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375920261 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2012102966493 申请日:20120821
2012-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有PN结保护的硅台面半导体器件 [P].

周明 ;

穆连和 ;

顾理建 ;

王荣元 .

中国专利 :CN202749360U ,2013-02-20

[2]

用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

A·里克特 .

中国专利 :CN113169246A ,2021-07-23

[3]

台面型半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

蔡锦波 ;

潘军星 ;

管国栋 ;

金铭 .

中国专利 :CN120957473A ,2025-11-14

[4]

包括PN异质结的半导体器件 [P].

戈德弗里德斯·A.·M.·胡克斯 ;

普拉巴特·阿加瓦尔 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 ;

彼德鲁斯·H.·C.·马格内 ;

梅拉妮·M.·H.·瓦格曼丝 ;

埃里克·P.·A.·M.·巴可斯 ;

埃尔温·A.·海曾 .

中国专利 :CN1898803A ,2007-01-17

[5]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

德国专利 :CN113169242B ,2024-10-11

[6]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

中国专利 :CN113169242A ,2021-07-23

[7]

硅平面半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

程万坡 ;

周明 ;

顾理健 .

中国专利 :CN101667535B ,2010-03-10

[8]

深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件 [P].

义夫 .

中国专利 :CN104392907A ,2015-03-04

[9]

大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

庄惠照 ;

薛成山 ;

王显明 .

中国专利 :CN1047025C ,1996-02-21

[10]

一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法 [P].

肖南海 .

中国专利 :CN114388372A ,2022-04-22

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