深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410602348.8

申请日：

2014-10-31

公开(公告)号：

CN104392907A

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

义夫

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2122

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

董文倩;吴贵明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	公开	公开
2018-08-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20180801 变更事项:专利权人变更前权利人:丽晶美能（北京）电子技术有限公司变更后权利人:河南省丽晶美能电子技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室变更后权利人:453099 河南省新乡市新飞大道1789号高新区火炬园综合研发楼内II(H-L)(14-15)
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603705702 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2014106023488 申请日:20141031
2016-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

A·里克特 .

中国专利 :CN113169246A ,2021-07-23

[2]

包括PN异质结的半导体器件 [P].

戈德弗里德斯·A.·M.·胡克斯 ;

普拉巴特·阿加瓦尔 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 ;

彼德鲁斯·H.·C.·马格内 ;

梅拉妮·M.·H.·瓦格曼丝 ;

埃里克·P.·A.·M.·巴可斯 ;

埃尔温·A.·海曾 .

中国专利 :CN1898803A ,2007-01-17

[3]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

德国专利 :CN113169242B ,2024-10-11

[4]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

中国专利 :CN113169242A ,2021-07-23

[5]

硅台面半导体器件的PN结保护方法 [P].

周明 ;

穆连和 ;

顾理建 ;

王荣元 .

中国专利 :CN102779764B ,2012-11-14

[6]

用于形成PN结的方法以及相关联的半导体器件 [P].

F·拉罗萨 ;

S·尼埃尔 ;

A·雷尼耶 .

中国专利 :CN107452743A ,2017-12-08

[7]

一种具有PN结的半导体器件及其制备方法 [P].

曾俞衡 ;

武彪 ;

刘晓巍 ;

刘意 ;

赵须凯 ;

蒋虹萍 ;

刘尊珂 ;

叶继春 .

中国专利 :CN120112012A ,2025-06-06

[8]

用于制备半导体器件的深结扩散方法 [P].

高占成 ;

徐爱民 ;

顾标琴 .

中国专利 :CN102184850A ,2011-09-14

[9]

晶体管PN结的形成方法 [P].

胡学清 .

中国专利 :CN102306630A ,2012-01-04

[10]

形成半导体器件结的方法 [P].

李东浩 .

中国专利 :CN101419917A ,2009-04-29

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