用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980076662.8

申请日：

2019-09-24

公开(公告)号：

CN113169246A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

E·洛赫迈勒 R·普雷乌 P·巴利奥齐安 T·费尔麦斯 N·沃赫勒 P·圣卡斯特 A·里克特

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L2178 H01L3105

代理机构：

北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447

代理人：

南毅宁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20190924
2021-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

德国专利 :CN113169242B ,2024-10-11

[2]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

中国专利 :CN113169242A ,2021-07-23

[3]

包括PN异质结的半导体器件 [P].

戈德弗里德斯·A.·M.·胡克斯 ;

普拉巴特·阿加瓦尔 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 ;

彼德鲁斯·H.·C.·马格内 ;

梅拉妮·M.·H.·瓦格曼丝 ;

埃里克·P.·A.·M.·巴可斯 ;

埃尔温·A.·海曾 .

中国专利 :CN1898803A ,2007-01-17

[4]

深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件 [P].

义夫 .

中国专利 :CN104392907A ,2015-03-04

[5]

硅台面半导体器件的PN结保护方法 [P].

周明 ;

穆连和 ;

顾理建 ;

王荣元 .

中国专利 :CN102779764B ,2012-11-14

[6]

具有超级结的半导体器件 [P].

利田祐麻 ;

榊原纯 ;

山口仁 .

中国专利 :CN101465370A ,2009-06-24

[7]

一种具有PN结的半导体器件及其制备方法 [P].

曾俞衡 ;

武彪 ;

刘晓巍 ;

刘意 ;

赵须凯 ;

蒋虹萍 ;

刘尊珂 ;

叶继春 .

中国专利 :CN120112012A ,2025-06-06

[8]

具有横向半导体异质结的半导体器件和方法 [P].

李明洋 ;

黄敬凯 ;

李连忠 .

中国专利 :CN111566783A ,2020-08-21

[9]

一种具有PN结保护的硅台面半导体器件 [P].

周明 ;

穆连和 ;

顾理建 ;

王荣元 .

中国专利 :CN202749360U ,2013-02-20

[10]

具有金属半导体结的半导体器件及其制造 [P].

J.P.康拉特 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN105702577A ,2016-06-22

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