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用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980076662.8
申请日
:
2019-09-24
公开(公告)号
:
CN113169246A
公开(公告)日
:
2021-07-23
发明(设计)人
:
E·洛赫迈勒
R·普雷乌
P·巴利奥齐安
T·费尔麦斯
N·沃赫勒
P·圣卡斯特
A·里克特
申请人
:
申请人地址
:
德国慕尼黑
IPC主分类号
:
H01L3118
IPC分类号
:
H01L2178
H01L3105
代理机构
:
北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447
代理人
:
南毅宁
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-13
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20190924
2021-07-23
公开
公开
共 50 条
[41]
超结半导体器件
[P].
武井学
论文数:
0
引用数:
0
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0
武井学
.
中国专利
:CN102439727B
,2012-05-02
[42]
肖特基结半导体器件
[P].
中村佳夫
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0
中村佳夫
;
菊池伸
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菊池伸
;
西村茂
论文数:
0
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0
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西村茂
.
中国专利
:CN1058117A
,1992-01-22
[43]
半导体器件和具有该半导体器件的半导体封装件
[P].
高永权
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0
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0
高永权
;
许埈荣
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许埈荣
;
姜芸炳
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姜芸炳
;
李慈娟
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0
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李慈娟
.
中国专利
:CN110729279A
,2020-01-24
[44]
半导体器件和具有该半导体器件的半导体封装件
[P].
高永权
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
高永权
;
许埈荣
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
许埈荣
;
姜芸炳
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
姜芸炳
;
李慈娟
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李慈娟
.
韩国专利
:CN110729279B
,2024-12-13
[45]
浅结半导体器件的制造
[P].
威廉·何塞-里恩·马
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威廉·何塞-里恩·马
;
赫辛-恩·C·万
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赫辛-恩·C·万
.
中国专利
:CN1264166A
,2000-08-23
[46]
包括异质结的半导体器件
[P].
埃里克·P.·A.·M.·巴可斯
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埃里克·P.·A.·M.·巴可斯
;
罗伯特斯·A.·M.·沃尔特斯
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罗伯特斯·A.·M.·沃尔特斯
;
约翰·H.·克罗特维吉克
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约翰·H.·克罗特维吉克
.
中国专利
:CN1898784A
,2007-01-17
[47]
具有过补偿区的超级结半导体器件
[P].
F.希尔勒
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F.希尔勒
;
U.瓦尔
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U.瓦尔
;
A.维尔梅罗特
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0
A.维尔梅罗特
.
中国专利
:CN103996623A
,2014-08-20
[48]
一种PN结嵌入玻璃钝化半导体器件的制造方法
[P].
淮永进
论文数:
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0
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淮永进
.
中国专利
:CN102110603B
,2011-06-29
[49]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
许建华
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许建华
;
乐伶聪
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乐伶聪
;
杨天应
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杨天应
.
中国专利
:CN114141737B
,2022-03-04
[50]
具有新型终端结构的超结半导体器件
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
李宗青
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李宗青
;
叶鹏
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叶鹏
.
中国专利
:CN202534652U
,2012-11-14
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