用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980076662.8
申请日
2019-09-24
公开(公告)号
CN113169246A
公开(公告)日
2021-07-23
发明(设计)人
E·洛赫迈勒 R·普雷乌 P·巴利奥齐安 T·费尔麦斯 N·沃赫勒 P·圣卡斯特 A·里克特
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L2178 H01L3105
代理机构
北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447
代理人
南毅宁
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[41]
超结半导体器件 [P]. 
武井学 .
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肖特基结半导体器件 [P]. 
中村佳夫 ;
菊池伸 ;
西村茂 .
中国专利 :CN1058117A ,1992-01-22
[43]
半导体器件和具有该半导体器件的半导体封装件 [P]. 
高永权 ;
许埈荣 ;
姜芸炳 ;
李慈娟 .
中国专利 :CN110729279A ,2020-01-24
[44]
半导体器件和具有该半导体器件的半导体封装件 [P]. 
高永权 ;
许埈荣 ;
姜芸炳 ;
李慈娟 .
韩国专利 :CN110729279B ,2024-12-13
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