用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980076662.8
申请日
2019-09-24
公开(公告)号
CN113169246A
公开(公告)日
2021-07-23
发明(设计)人
E·洛赫迈勒 R·普雷乌 P·巴利奥齐安 T·费尔麦斯 N·沃赫勒 P·圣卡斯特 A·里克特
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L2178 H01L3105
代理机构
北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447
代理人
南毅宁
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[31]
超结半导体器件 [P]. 
李宝杰 ;
任文珍 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16
[32]
超结半导体器件 [P]. 
李宝杰 ;
任文珍 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24
[33]
超结半导体器件 [P]. 
田村隆博 ;
大西泰彦 .
中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22
[34]
超结半导体器件 [P]. 
苑羽中 ;
张玉琦 ;
戴银 .
中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17
[35]
超级结半导体器件 [P]. 
朱超群 ;
陈宇 .
中国专利 :CN204289463U ,2015-04-22
[36]
超结半导体器件 [P]. 
李宝杰 ;
任文珍 ;
丛茂杰 ;
陆珏 ;
徐旭东 .
中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05
[37]
超级结半导体器件 [P]. 
禹赫 ;
金大柄 ;
崔彰容 ;
姜棋太 ;
全珖延 ;
赵文秀 ;
权纯琢 .
中国专利 :CN105280688A ,2016-01-27
[38]
异质结半导体器件 [P]. 
约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ;
霍德弗里德斯·A·M·胡尔克斯 ;
斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔 ;
迈克尔·安东尼·阿曼德·因赞特 .
中国专利 :CN104835855A ,2015-08-12
[39]
超结半导体器件 [P]. 
韩廷瑜 ;
叶彪 ;
张耀权 .
中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26
[40]
超结半导体器件 [P]. 
田村隆博 ;
大西泰彦 ;
北村睦美 .
中国专利 :CN103066125A ,2013-04-24