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用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980076662.8
申请日：
2019-09-24
公开(公告)号：
CN113169246A
公开(公告)日：
2021-07-23
发明(设计)人：
E·洛赫迈勒 R·普雷乌 P·巴利奥齐安 T·费尔麦斯 N·沃赫勒 P·圣卡斯特 A·里克特
申请人：
申请人地址：
德国慕尼黑
IPC主分类号：
H01L3118
IPC分类号：
H01L2178 H01L3105
代理机构：
北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447
代理人：
南毅宁
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-08-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20190924
2021-07-23 公开 公开
共 50 条
[21]
超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P]. 
赵勇 ;
廖巍 .
中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04
[22]
超级结半导体器件的制作方法及超级结半导体器件 [P]. 
孙建国 ;
高宏伟 ;
左义忠 ;
刘维 ;
石一 .
中国专利 :CN120500066A ,2025-08-15
[23]
集成异质结半导体器件和用于生产该半导体器件的方法 [P]. 
G.迪波尔德 ;
G.普雷希特尔 .
中国专利 :CN103187442A ,2013-07-03
[24]
半导体器件和具有半导体器件的半导体系统 [P]. 
丘泳峻 .
中国专利 :CN104299642A ,2015-01-21
[25]
具有侧结的半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴在槿 ;
田承晙 ;
李镇九 ;
李美梨 ;
全奉石 .
中国专利 :CN102315162A ,2012-01-11
[26]
制造具有器件分离结构的半导体器件的方法及半导体器件 [P]. 
M.莱姆克 ;
S.特根 ;
R.魏斯 .
中国专利 :CN104282626A ,2015-01-14
[27]
具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
A.迈泽 ;
C.莱恩德茨 ;
A.毛德 .
德国专利 :CN111009470B ,2025-10-31
[28]
具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
A.迈泽 ;
C.莱恩德茨 ;
A.毛德 .
中国专利 :CN111009470A ,2020-04-14
[29]
半导体器件和用于半导体器件的器件 [P]. 
金载镒 ;
白承根 ;
崔敦铉 .
中国专利 :CN106469573A ,2017-03-01
[30]
半导体异质结器件 [P]. 
雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯 ;
杰伦·安东·克龙 ;
约翰内斯·J·T·M·唐克尔 ;
斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔 ;
简·雄斯基 .
中国专利 :CN105322006A ,2016-02-10
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