半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980077037.5

申请日：

2019-09-24

公开(公告)号：

CN113169242B

公开(公告)日：

2024-10-11

发明(设计)人：

E·洛赫迈勒 R·普雷乌 P·巴利奥齐安 T·费尔麦斯 N·沃赫勒 P·圣卡斯特 F·克莱门特 A·布兰德

申请人：

弗劳恩霍夫应用研究促进协会

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L31/068

IPC分类号：

H01L31/18

代理机构：

北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447

代理人：

南毅宁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

F·克莱门特 ;

A·布兰德 .

中国专利 :CN113169242A ,2021-07-23

[2]

用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

A·里克特 .

中国专利 :CN113169246A ,2021-07-23

[3]

半导体器件和用于半导体器件的器件 [P].

金载镒 ;

白承根 ;

崔敦铉 .

中国专利 :CN106469573A ,2017-03-01

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

岛本泰洋 ;

由上二郎 ;

井上真雄 ;

水谷齐治 .

中国专利 :CN1870267A ,2006-11-29

[5]

具有横向半导体异质结的半导体器件和方法 [P].

李明洋 ;

黄敬凯 ;

李连忠 .

中国专利 :CN111566783A ,2020-08-21

[6]

包括PN异质结的半导体器件 [P].

戈德弗里德斯·A.·M.·胡克斯 ;

普拉巴特·阿加瓦尔 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 ;

彼德鲁斯·H.·C.·马格内 ;

梅拉妮·M.·H.·瓦格曼丝 ;

埃里克·P.·A.·M.·巴可斯 ;

埃尔温·A.·海曾 .

中国专利 :CN1898803A ,2007-01-17

[7]

半导体器件和具有半导体器件的半导体系统 [P].

丘泳峻 .

中国专利 :CN104299642A ,2015-01-21

[8]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

诺温·文马尔姆 ;

亚历山大·F·普福伊费尔 ;

坦森·瓦尔盖斯 ;

菲利普·克罗伊特尔 .

中国专利 :CN106062976B ,2016-10-26

[9]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

N·G·加纳戈纳 ;

M·耶利内克 ;

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

W·舒斯特雷德尔 .

中国专利 :CN106257628B ,2016-12-28

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

V.卡波迪西 ;

M.丁克尔 ;

U.施马尔茨鲍尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103985709B ,2014-08-13

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