形成半导体器件结的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810171208.4

申请日：

2008-10-24

公开(公告)号：

CN101419917A

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

李东浩

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-29	公开	公开
2009-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-06-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101382532836 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008101712084 公开日:20090429

共 50 条

[1]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[3]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·塞德曼 ;

M·奥斯特迈尔 ;

W·卢茨 ;

J·阿森马赫尔 .

美国专利 :CN117546284A ,2024-02-09

[5]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[6]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.马穆德 ;

Y.吕埃 ;

E.贝西诺巴斯克斯 ;

J.魏尔斯 .

中国专利 :CN107887382B ,2018-04-06

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN104518016A ,2015-04-15

[9]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

中国专利 :CN109994383A ,2019-07-09

[10]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G.施密特 ;

M.巴鲁西克 ;

B.施托伊布 .

德国专利 :CN109994383B ,2025-03-28

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