一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法

被引：0

申请号：

CN202210252341.2

申请日：

2022-03-15

公开(公告)号：

CN114388372A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

肖南海

申请人：

申请人地址：

201502 上海市金山区枫泾镇曹黎路38弄25号1528室

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2329

代理机构：

上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374

代理人：

汪发成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20220315
2022-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法 [P].

肖南海 .

中国专利 :CN113192853A ,2021-07-30

[2]

超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120167136A ,2025-06-17

[3]

硅台面半导体器件的PN结保护方法 [P].

周明 ;

穆连和 ;

顾理建 ;

王荣元 .

中国专利 :CN102779764B ,2012-11-14

[4]

用于分离具有PN结的半导体器件的方法和具有PN结的半导体器件 [P].

E·洛赫迈勒 ;

R·普雷乌 ;

P·巴利奥齐安 ;

T·费尔麦斯 ;

N·沃赫勒 ;

P·圣卡斯特 ;

A·里克特 .

中国专利 :CN113169246A ,2021-07-23

[5]

用于制造功率半导体器件的工艺和相应功率半导体器件 [P].

A·瓜尼拉 ;

M·G·萨吉奥 ;

F·弗里西纳 .

中国专利 :CN101467258B ,2009-06-24

[6]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[7]

功率半导体模块、功率半导体组件和用于生产功率半导体模块的方法 [P].

F·杜加尔 ;

G·帕克 .

:CN116686079B ,2024-08-20

[8]

一种半导体PN结及制作方法 [P].

何慧强 .

中国专利 :CN110085663A ,2019-08-02

[9]

包括PN异质结的半导体器件 [P].

戈德弗里德斯·A.·M.·胡克斯 ;

普拉巴特·阿加瓦尔 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 ;

彼德鲁斯·H.·C.·马格内 ;

梅拉妮·M.·H.·瓦格曼丝 ;

埃里克·P.·A.·M.·巴可斯 ;

埃尔温·A.·海曾 .

中国专利 :CN1898803A ,2007-01-17

[10]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

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