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台面型半导体器件和用于制造半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510944982.8
申请日
:
2025-07-09
公开(公告)号
:
CN120957473A
公开(公告)日
:
2025-11-14
发明(设计)人
:
蔡锦波
潘军星
管国栋
金铭
申请人
:
深圳市槟城电子股份有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市宝安区石岩街道罗租社区海谷科技大厦T4栋4-401
IPC主分类号
:
H10D62/10
IPC分类号
:
H10D62/00
H10D64/01
H10D64/20
H01L23/31
H01L23/522
H01L21/56
H01L21/60
H01L21/768
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
林柯;马涛
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250709
2025-11-14
公开
公开
共 50 条
[1]
台面型半导体器件
[P].
庄建军
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0
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0
庄建军
;
王岳云
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王岳云
.
中国专利
:CN206558508U
,2017-10-13
[2]
台面型半导体器件的制造方法
[P].
何德湛
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何德湛
;
陈益清
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陈益清
;
胡顺帆
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胡顺帆
;
何启丁
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何启丁
;
严光华
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严光华
;
徐元森
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徐元森
.
中国专利
:CN85100501A
,1986-08-13
[3]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
基里安·翁
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基里安·翁
;
本杰明·亨
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本杰明·亨
.
中国专利
:CN114582952A
,2022-06-03
[4]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
井胁孝之
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井胁孝之
;
伊藤孝政
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伊藤孝政
;
清水香奈
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清水香奈
.
中国专利
:CN102280473A
,2011-12-14
[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
雅各布·泰施里布
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机构:
安世有限公司
安世有限公司
雅各布·泰施里布
;
法尔克-乌尔里希·施泰因
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机构:
安世有限公司
安世有限公司
法尔克-乌尔里希·施泰因
;
奥尔里克·舒马赫
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机构:
安世有限公司
安世有限公司
奥尔里克·舒马赫
.
:CN119767743A
,2025-04-04
[6]
半导体器件和半导体器件的制造方法
[P].
马诺耶·库马尔
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安世有限公司
安世有限公司
马诺耶·库马尔
;
基里安·翁
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机构:
安世有限公司
安世有限公司
基里安·翁
.
:CN117650176A
,2024-03-05
[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
李制勳
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李制勳
;
金恩贤
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金恩贤
;
申相原
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申相原
;
李恩荣
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李恩荣
.
中国专利
:CN105552128B
,2016-05-04
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
拉杜·C.·苏尔代亚努
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拉杜·C.·苏尔代亚努
;
赫尔本·多恩博斯
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赫尔本·多恩博斯
;
马库斯·J.·H.·范达尔
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马库斯·J.·H.·范达尔
.
中国专利
:CN1922719B
,2007-02-28
[9]
用于制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
D·迈因霍尔德
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D·迈因霍尔德
;
S·比塞尔特
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S·比塞尔特
.
中国专利
:CN115043372A
,2022-09-13
[10]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
增田健良
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增田健良
;
和田圭司
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和田圭司
;
日吉透
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日吉透
.
中国专利
:CN103748688A
,2014-04-23
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