台面型半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN85100501.2

申请日：

1985-04-01

公开(公告)号：

CN85100501A

公开(公告)日：

1986-08-13

发明(设计)人：

何德湛陈益清胡顺帆何启丁严光华徐元森

申请人：

申请人地址：

上海市长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L2972

代理机构：

中国科学院上海专利事务所

代理人：

季良赳

法律状态：

审定

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1989-04-05	审定	审定
1986-08-13	公开	公开
1991-08-21	专利权的终止未缴纳年费专利权终止	专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-11-22	授权	授权
1988-08-31	实质审查请求	实质审查请求

共 50 条

[1]

台面型半导体器件及其制造方法 [P].

庄建军 ;

王岳云 .

中国专利 :CN106910769A ,2017-06-30

[2]

台面型半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

蔡锦波 ;

潘军星 ;

管国栋 ;

金铭 .

中国专利 :CN120957473A ,2025-11-14

[3]

台面型半导体器件 [P].

庄建军 ;

王岳云 .

中国专利 :CN206558508U ,2017-10-13

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

安冈秀记 ;

吉住圭一 ;

纐缬政巳 .

中国专利 :CN1617353A ,2005-05-18

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

安冈秀记 ;

吉住圭一 ;

纐缬政巳 .

中国专利 :CN1953159A ,2007-04-25

[6]

半导体器件、制造半导体器件的方法 [P].

陈重辉 ;

张子敬 ;

陈万得 .

中国专利 :CN120390457A ,2025-07-29

[7]

平面型半导体器件及其制造方法 [P].

崔容建 .

中国专利 :CN101162706A ,2008-04-16

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

金熙中 ;

吴容哲 ;

尹在万 ;

郑铉雨 ;

金铉琦 ;

金冈昱 .

中国专利 :CN101937915B ,2011-01-05

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

夏目秀隆 ;

石田浩 ;

田矢真敏 .

中国专利 :CN115425087A ,2022-12-02

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

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