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台面型半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710192418.0
申请日
:
2017-03-28
公开(公告)号
:
CN106910769A
公开(公告)日
:
2017-06-30
发明(设计)人
:
庄建军
王岳云
申请人
:
申请人地址
:
213022 江苏省常州市新北区长江北路19号
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L21329
H01L21331
H01L21336
代理机构
:
常州市科谊专利代理事务所 32225
代理人
:
孙彬;郑明星
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-06-30
公开
公开
2017-07-25
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736961917 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2017101924180 申请日:20170328
共 50 条
[1]
台面型半导体器件
[P].
庄建军
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0
庄建军
;
王岳云
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王岳云
.
中国专利
:CN206558508U
,2017-10-13
[2]
平面型半导体器件及其制造方法
[P].
崔容建
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崔容建
.
中国专利
:CN101162706A
,2008-04-16
[3]
台面型半导体器件的制造方法
[P].
何德湛
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何德湛
;
陈益清
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陈益清
;
胡顺帆
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胡顺帆
;
何启丁
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何启丁
;
严光华
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严光华
;
徐元森
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徐元森
.
中国专利
:CN85100501A
,1986-08-13
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
冈本康宏
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冈本康宏
;
町田信夫
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町田信夫
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新井耕一
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新井耕一
;
久田贤一
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久田贤一
;
山下泰典
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山下泰典
;
江口聪司
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江口聪司
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宫本广信
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宫本广信
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酒井敦
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酒井敦
;
永久克己
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永久克己
.
中国专利
:CN110098258A
,2019-08-06
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
冈本康宏
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
冈本康宏
;
町田信夫
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
町田信夫
;
新井耕一
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
新井耕一
;
久田贤一
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
久田贤一
;
山下泰典
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
山下泰典
;
江口聪司
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瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
江口聪司
;
宫本广信
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
宫本广信
;
酒井敦
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
酒井敦
;
永久克己
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
永久克己
.
日本专利
:CN110098258B
,2024-10-01
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
小清水亮
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
小清水亮
;
河合彻
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瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
河合彻
;
中柴康隆
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
中柴康隆
;
山口智也
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
山口智也
.
日本专利
:CN120111956A
,2025-06-06
[7]
台面型半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
蔡锦波
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深圳市槟城电子股份有限公司
深圳市槟城电子股份有限公司
蔡锦波
;
潘军星
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机构:
深圳市槟城电子股份有限公司
深圳市槟城电子股份有限公司
潘军星
;
管国栋
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深圳市槟城电子股份有限公司
深圳市槟城电子股份有限公司
管国栋
;
金铭
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机构:
深圳市槟城电子股份有限公司
深圳市槟城电子股份有限公司
金铭
.
中国专利
:CN120957473A
,2025-11-14
[8]
台面型半导体装置的制造方法
[P].
根木龙一
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根木龙一
.
中国专利
:CN1658374A
,2005-08-24
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
川嶋祥之
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川嶋祥之
;
伊藤文俊
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伊藤文俊
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坂井健志
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坂井健志
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石井泰之
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石井泰之
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金丸恭弘
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金丸恭弘
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桥本孝司
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桥本孝司
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水野真
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水野真
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奥山幸祐
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奥山幸祐
.
中国专利
:CN1534768A
,2004-10-06
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
森井胜巳
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森井胜巳
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大津良孝
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大津良孝
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大西一真
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大西一真
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新田哲也
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新田哲也
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城本龙也
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城本龙也
;
德光成太
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德光成太
.
中国专利
:CN102157431A
,2011-08-17
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