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用于制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0
申请号：
CN202210054460.7
申请日：
2022-01-18
公开(公告)号：
CN115043372A
公开(公告)日：
2022-09-13
发明(设计)人：
D·迈因霍尔德 S·比塞尔特
申请人：
申请人地址：
德国德累斯顿
IPC主分类号：
B81C100
IPC分类号：
B81B700 B81B702
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
闫昊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-13 公开 公开
2022-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20220118
共 50 条
[1]
用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
D·迈因霍尔德 ;
S·比塞尔特 .
德国专利 :CN115043372B ,2025-09-19
[2]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
崔金洪 .
中国专利 :CN104835788A ,2015-08-12
[3]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
基里安·翁 ;
本杰明·亨 .
中国专利 :CN114582952A ,2022-06-03
[4]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
甲斐徹哉 ;
笠井良夫 ;
角田弘昭 ;
萩原裕之 ;
小林英行 .
中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09
[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
任桐贤 ;
李气范 ;
金旲炫 ;
魏胄滢 ;
尹成美 .
韩国专利 :CN112117322B ,2024-07-09
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN102856246B ,2013-01-02
[7]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106298533A ,2017-01-04
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
任桐贤 ;
李气范 ;
金旲炫 ;
魏胄滢 ;
尹成美 .
中国专利 :CN112117322A ,2020-12-22
[9]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
马诺耶·库马尔 ;
基里安·翁 .
:CN117650176A ,2024-03-05
[10]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
新井耕一 ;
滨正树 ;
笼利康明 ;
久田贤一 .
中国专利 :CN105280546B ,2016-01-27
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