多色自对准触点选择性蚀刻

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910183568.4
申请日
2019-03-11
公开(公告)号
CN110265297A
公开(公告)日
2019-09-20
发明(设计)人
林永振 周清军 张郢 黄和湧
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L21308
IPC分类号
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国;赵静
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
选择性蚀刻的自对准通孔工艺 [P]. 
林永臣 ;
周清军 ;
张郢 ;
何扬·大卫·黄 ;
乌代·米特拉 ;
瑞加娜·弗雷德 .
中国专利 :CN110021555A ,2019-07-16
[2]
选择性蚀刻的自对准过孔工艺 [P]. 
林永振 ;
周凯文 ;
张郢 ;
黄和涌 .
中国专利 :CN111095525A ,2020-05-01
[3]
选择性蚀刻的自对准过孔工艺 [P]. 
林永振 ;
周凯文 ;
张郢 ;
黄和涌 .
美国专利 :CN111095525B ,2024-07-26
[4]
一种选择性蚀刻液 [P]. 
叶瑞 ;
贺兆波 ;
冯凯 ;
崔会东 ;
王书萍 ;
班昌胜 ;
张庭 ;
严凡 ;
樊澌 .
中国专利 :CN117384642A ,2024-01-12
[5]
选择性蚀刻方法 [P]. 
克里斯托弗·科多尼尔 ;
锅岛三弘 ;
熊谷真吾 ;
高桥直贵 .
中国专利 :CN103205259A ,2013-07-17
[6]
选择性蚀刻方法 [P]. 
G·瓦格纳 .
中国专利 :CN101015043A ,2007-08-08
[7]
氧化硅膜的选择性蚀刻方法 [P]. 
沈台用 ;
李锺培 .
中国专利 :CN108885996A ,2018-11-23
[8]
高度选择性硅蚀刻 [P]. 
D·金 ;
H·J·金 ;
B·孔 ;
S·金 .
美国专利 :CN118696400A ,2024-09-24
[9]
金属选择性蚀刻液 [P]. 
高桥秀树 ;
黑岩健次 ;
加藤胜 .
中国专利 :CN1847457B ,2006-10-18
[10]
用于硅膜的选择性蚀刻 [P]. 
J·张 ;
王安川 ;
N·K·英格尔 .
中国专利 :CN102918635A ,2013-02-06